مشخصات فنی :

• نوع قطعه: ماسفت دوبل قدرت (Dual N‑Channel Power MOSFET)
• نوع کانال: N‑Channel (Enhancement Mode)
• تکنولوژی ساخت: Trench MOSFET
• ولتاژ درین به سورس (VDS): 100V
• جریان پیوسته درین (ID): 35A
• جریان پالسی درین (IDM): 140A
• مقاومت روشن (Rds(on)):
  • 45mΩ در VGS = 10V
  • < 50mΩ در VGS = 4.5V
• ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20V
• توان تلفاتی (PD): 80W
• انرژی آوالانچ (EAS): 30mJ
• دمای کاری: °C 150+ تا °C 55-
• تعداد کانال: دو کانال مستقل
• پکیج (Package): DFN 5×6 (Dual)

کاربردها (Applications)

• کلیدزنی توان (Power Switch)
• مبدل‌های DC/DC
• منابع تغذیه سوئیچینگ
• مدارهای مدیریت توان
• Load Switch

دیتا شیت G450N10D52 :

G450N10D52