مشخصات فنی XRS60V06F (ماسفت دوبل)

• نوع قطعه: ماسفت دوبل قدرت (Dual N‑Channel MOSFET)
• نوع کانال: N‑Channel
• تکنولوژی ساخت: Split Gate Trench MOSFET
• ولتاژ درین به سورس (BVdss): 60V
• جریان پیوسته درین (ID):
  • 50A در Tc = 25°C
  • 29A در Tc = 100°C
• جریان پالسی درین (IDM): 180A
• مقاومت روشن (Rds(on)): 9mΩ
• ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20V
• توان تلفاتی (PD): 60W
• انرژی آوالانچ (EAS): 36mJ
• مقاومت حرارتی (RθJC): 2.5 °C/W
• دمای کاری: °C 175+ تا °C 55-
• تعداد کانال: دو کانال مستقل
• پکیج (Package): PDFN 5060‑8L
• برند: XNRUSEMI

کاربردها (Applications)

• مبدل‌های DC‑DC
• مدیریت توان (Power Management)
• یکسوساز سنکرون (Synchronous Rectification)
• منابع تغذیه سوئیچینگ
• مدارهای توان با جریان بالا

دیتاشیت :

XRS60V06F